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rays in a 6H-SiC diode小野田 忍; 大島 武; 平尾 敏雄; 三島 健太; 菱木 繁臣; 岩本 直也; 児島 一聡*; 河野 勝泰*
IEEE Transactions on Nuclear Science, 54(6), p.1953 - 1960, 2007/12
被引用回数：19 パーセンタイル：76.78(Engineering, Electrical & Electronic)In order to investigate the influence of displacement damage or change collection in Sic diode, the charge generated in 6H-SiC n
p diodes by 15 MeV O ions was measured using the TIBIC (Transient Ion Beam Induced Current) system before and after -ray irradiations. The measured CCE (Collected Charge Efficiency) and the diffusion length reduce with increasing the equivalent displacement damage dose which is estimated using Non Ionizing Energy Loss (NIEL). It was found that the degradation of the diffusion length for p-type 6H-SiC is proportional to the square of the displacement damage dose, and this relationship is the same as that reported for n-type SiC and p-type GaAs.
Laird, J. S.*; 小野田 忍; 平尾 敏雄; Edmonds, L.*; 大島 武
IEEE Transactions on Nuclear Science, 54(6), p.2384 - 2393, 2007/12
被引用回数：8 パーセンタイル：51.13(Engineering, Electrical & Electronic)集束レーザービーム及び集束イオンビームを高速GaAs 
-
-フォトダイオードに照射し、その際にデバイス中に誘起される高注入キャリアの挙動を過渡電流により調べた。また、高速Si --フォトダイオードに対しても同様の実験を行った。レーザーとさまざまなエネルギーのイオンを利用し、異なる密度のイオントラックをデバイス中に形成することで、イオントラック密度と過渡電流の関係を調べた。その結果、光を吸収する領域であるエピタキシャル層が厚いSiフォトダイオードと異なり、光吸収層が薄いIII-V族半導体フォトダイオードは、過渡電流の遅延を引き起こす空間電荷効果の影響が小さくなることがわかった。このことから、エピタキシャル層の薄いデバイスでは、厚いデバイスと比較して、イオントラック構造が過渡電流に及ぼす影響が相対的に小さくなると結論できる。
-ray detection木村 敦; 藤 暢輔; 小泉 光生; 古高 和禎; 金 政浩; 大島 真澄
no journal, ,
われわれのグループでは、大強度陽子加速器計画(J-PARC)の物質・生命科学実験施設(MLF)においてマイナー・アクチニド等の中性子核データのTOF実験を行う予定である。しかしながら、MLF棟での実験位置での中性子強度は
と非常に強いため、われわれが開発し、現在京都大学原子炉実験所で利用しているデータ収集システム(DAQ)では対応しきれず、より高速なDAQを開発する必要がある。そこで、現在使用しているDAQの一部モジュールを設計しなおし、より高速なADCとDSPを搭載しデータ通信アルゴリズムの高速化を行った。その結果、既存のDAQの5-10倍の速度での測定が可能になったので報告する。
